秩父電子の技術

研磨加工は素材の両面を磨く両面研磨と片面のみを磨く片面研磨に分類されます。素材によりこの二つの研磨を巧みに使い分けて極限の高平坦性を実現しております。

ちなみに、両面研磨においては６インチの基板でフラットネス0.3μm以下、片面研磨においては厚み公差±0.1μm以下を達成しております。この平坦性が確保できて初めて半導体の超微細化が可能となります。

研磨後の素材は顧客のデバイス製造前工程に投入されるものが殆どです。その重金属汚染を回避するために、研磨後の素材表面の清浄度は厳しいレベルが要求されます。重金属汚染については要求レベルに応じた柔軟な対応が可能です。

さらに、表面のパーティクルもデバイス製造前工程の歩留まりに大きく影響するため、厳格な管理が必要です。最新の検査装置により0.1μm以上のパーティクルがゼロ（0）～数個レベルの品質を確保して、歩留まり向上に大きく貢献しております。

ベベリング（面取り）、レーザーマーキング、テラス加工（ウェハーの周辺に段差を付ける加工）、金属膜蒸着等、お客様のご要望に応じて研磨と組合わせることにより利便性の高いワンストップサービスとして提供しております。

さらに、研磨とは独立した事業としてシリコンウェハー上のエピタキシャル成長加工サービスも提供しております。