屈指の研磨技術で高硬度素材・高精度加工などの高い技術を必要とする研磨加工を承ります。

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半導体研磨・最先端デバイスの研磨加工はお任せください。高い研磨技術でお客様の要求にお応えします。

秩父電子ホームページをご訪問いただきありがとうございます。

私達は、半導体フォトマスク基板用合成石英ガラス、GaP・GaAs等の化合物半導体、ＭＥＭＳ、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、サファイア、GaN(窒化ガリウム）、Siウェハーの研磨加工を軸にエピ成長、金属膜蒸着等半導体材料の加工を幅広く行っている技術集団です。我々の技術は経済産業省からも高く評価され、平成１８年３月には「明日の日本を支える元気なモノ作り中小企業３００社」に選ばれました。また、日本版ニューズウィーク（２００７年１１月）に世界が絶賛する日本の中小企業１００社として紹介されました。更に日経ビジネス（２００９年３月）に「隠れた世界企業」として紹介されました。匠の技術でお客様の満足にお応えします。

What's NEW

経済産業省より「地域未来引率企業」に認定	2018年12月
温度補償型ＳＡＷフィルター基板研磨事業開始	2018年09月
ＡｌＮ（窒化アルミニウム）基板研磨事業開始	2018年08月
ＧａＮ（窒化ガリウム）基盤研磨事業開始	2017年04月
埼玉県次世代産業算入支援事業補助金交付内定	2014年07月
ＴＸＲＦ（全反射蛍光Ｘ線分析装置）導入	2014年06月
埼玉県より『多様な働き方実践企業』の認定を受けました。	2014年02月
ＳｉＣウェハー裏面研磨加工（面取+裏面研磨+重金属フリー洗浄）開始	2013年11月
ＳｉＣウェハー再生研磨加工開始	2013年11月
面取り加工サービス開始（あらゆるウェハータイプ素材に対応可）	2013年10月
Ｓｉ，ＧａＡｓウェハー　一貫加工開始（裏面研磨+金属膜蒸着+ダイシング）	2013年08月
シリコンバー製造開始	2013年04月
シリコンウェハー裏面研磨 + 重金属フリー洗浄　加工開始	2013年03月
平成22年度　戦略的基盤技術高度化支援事業（サポイン）に採用	2010年06月

製品ラインナップ

秩父電子グループでは半導体業界の様々な要求に応えるべく、幅広い事業を展開しております。

半導体フォトマスク基板用ガラス（合成石英硝子）研磨

材質：

合成石英ガラス、低膨張ガラス、ノンアルカリガラス、青板ガラス、白板ガラス

仕様：

4、5、6、7、8インチ角及び8、12インチウエハータイプ

平坦度：0.5μm以下
欠陥、パーティクルレベル：0.1μm以下
面精度Ra1.5　オングストローム以下

品質：

最先端検査装置による品質保証

MAGICS
AFM
NIDEK

特色：

超精密ガラス化学研磨
超清浄度半導体フォトマスク用ガラス洗浄
面取り、端面処理各種加工

両面研磨機

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化合物半導体ウェハー研磨

材質：

GaP、GaAs、InP等の基板ウェハー、エピ成長ウェハー、パターン付きウェハー

仕様：

2、3、4、6インチ定形及び不定形ウェハー

超極薄仕上げ可能（50μmレベルまで）
基板研磨はエピレディレベルの表面品質

品質:

最先端検査装置による品質保証

Candela
NIDEK
AFM

特色：

極薄仕上げ
不定形ウェハー対応

ポリッシュ装置

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シリコンウェハー裏面研磨加工（バックグラインド）

材質：

パターン付きシリコンウェハー

仕様：

4、5、6、8及び12インチウェハー（バンプ付きウェハー対応可能）

超極薄仕上げ可能（50μm以下）
面内厚みバラツキは2μm以下

特色：

CMP装置による
バックグラインド・ポリッシュ一貫加工
12インチウェハーを
50μm以下の厚みまで研磨可能
バンプ付きウェハー対応可能
Asドープウェハー対応可能
3インチ以下や不定形のウェハーも対応可能

12インチ加工

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MEMS用ウェハー研磨加工

材質：

MEMS用パターン付きウェハー

仕様：

4、5、6、及び8インチウェハー

洗浄レベルは重金属フリー、パーティクル数個レベル（0.3μm）

品質：

膜厚の徹底的な制御

膜厚計

特色：

膜厚を制御しながらパターン面研磨及び洗浄

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ワイドギャップ半導体材料研磨加工 SiC研磨

材質：

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム）、サファイア　ウェハー等

仕様：

2、3、4及び6インチウェハー

SBIR ≦ 1μm
GBIR ≦ 2μm
Ra 　 ≦ 0.05μm

品質：

最先端検査装置による品質保証

Candela
NIDEK
AFM
Edge　Profiler

ワイドギャップ半導体研磨工場

特色：

高平坦性と重金属フリー洗浄

基板研磨
エピ成長ウェハー研磨
パターン付きウェハー研磨（面取+裏面研磨+重金属フリー洗浄）
使用済みウェハー再生研磨

※経済産業省よりサポイン事業として技術開発委託を受ける。

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金属膜蒸着加工

材質：

ＧａＡｓウェハー、シリコンウェハー

仕様：

3、4、6及び８インチGaAsウェハー

蒸着膜：Au、Pt、Ti等各種金属膜
対応サイズは8インチまで

シリコンウェハー

蒸着膜：Au、Pt、Ti等各種金属膜
対応サイズは8インチまで

品質：

最先端検査装置による品質保証

膜厚測定装置

特色：

研磨との一貫加工で効率的な処理が可能
お客様のレシピに柔軟に対応

金属膜蒸着装置

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シリコンウェハーエピ成長加工

材質：

シリコンウェハー

仕様：

4、5、6インチウェハー

エピ成長加工
埋め込み拡散加工

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シリコンモニターダミーウェハー加工

材質：

シリコンウェハー

仕様：

4、5、6、8、12インチウェハー

パーティクルは0.3ミクロンで10個以下
重金属レベルは、
10⁹ atom/cm² をクリアー

特色：

バージンモニターダミーウェハー販売
モニターダミーウェハー再生研磨加工

膜除去も行います
再生回数は平均3回以上

（少量の注文も承ります）

お問い合わせはこちら

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技術開発

世界最高を目指し、常に最先端の技術を追い求め続けています。

高平坦度研磨技術

高平坦度研磨技術は、研磨剤、研磨布、研磨機の条件設定が有機的に結びついた超精密加工です。これらのノウハウは、研削、ラップ、ポリッシュ、また両面研磨、片面研磨と広範囲におよびます。
片面研磨においてはプレートへの接着、研磨後の剥離技術も重要な要素です。
研磨の適用範囲は、シリコン、化合物半導体（GaP、GaAs、InP）、ワイドギャップ半導体（SiC、GaN）、石英ガラス、サファイア等多岐にわたります。

高清浄洗浄技術

研磨後のパーティクルフリー・重金属フリーに限りなく近い高清浄度洗浄技術は、高平坦度研磨技術と対となって、お客様の高度なご要望にお応えいたします。

高精度特殊ウェハー加工技術

ウェハーべべリング（面取）、定形加工、またガラスの切断等の高精度形状加工技術。
特殊な研削、ラップ、ポリッシュ方法により、25μｍ仕上げ程度まで対応可能。
拡散・エピタキシャル成長、各種エッチング等の表面処理技術。
これらの加工技術は、高平坦度研磨技術、高清浄度洗浄技術とあいまって電子材料加工における応用の範囲を無限に広げます。

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品質管理体制

品質に妥協はありません、鉄壁の管理体制でお客様のご要望にお応えします。

ISO9001

2003年7月: ISO9001:2000年度版へ移行。
2010年3月: ISO9001:2008年版へ移行。
2018年6月: ISO9001:2015年版へ移行。

　こちらのボタンを押すと品質方針がご覧になれます。⇒

充実の検査装置群

電子顕微鏡、レーザー表面形状測定器、高精密粗さ計等、各種分析装置
クリーン度の保守に欠かせない各種パーティクルカウンター、自動検査装置など
上記の装置による優れた分析技術と測定技術がシステム化され、 QCセンターで分析された情報は製造工程へ速やかにフィードバックされます。これは、各製造部門での品質保証活動とあいまって品質向上や信頼性向上に大きく寄与しています。

Candela	MAGICS	NIDIK	AFM

TXRF

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環境保全体制

秩父の豊かな自然を愛し、万全の環境保全体制で取り組んでいます。

環境への取り組み（ISO14001取得）

ISO14001に基づいて自然環境保全のために、工場排水や排気に最新設備を設置し、秩父の豊かな自然と共存をはかっております。
「彩の国指定工場」「埼玉県地域中小企業」として、地域との融和、貢献という面からリーダーシップ的役割を果たしております。

　こちらのボタンを押すと環境方針がご覧になれます。⇒

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企業概要

秩父電子は地域・企業と共に発展することを目指しています。

ごあいさつ

弊社は昭和42年の操業開始以来、顧客第一、人材育成、技術の錬磨を社訓として、一貫して半導体材料加工メーカーとしてお客様に可愛がられて参りました。
インターネット全盛の時代において、最先端の加工技術の提供を企業の責務として、今後とも視野を未来へ、そして世界へと広げて、広く社会に貢献していきたいと思います。
お客様の多用なニーズに高品質かつタイムリーにお応えするCustomer Oriented Corporationとして、お引き立ての程宜しく御願い申し上げます。

秩父電子株式会社
秩父エレクトロン株式会社

代表取締役

強谷隆彦

経営方針

私たち、秩父電子グループは「顧客・従業員・地域と共に繁栄し、社会の発展に寄与する」という経営理念のもと

多角化による発展的安定経営の確保
顧客ニーズを的確に把握した営業および技術開発
最高のQCD（Quality,Cost,Delivery）を作り出す生産システムの開発

この、3本の経営基本方針にのっとり、積極的に事業を展開しております。
今後も超精密・超清浄電子材料加工メーカーとして、日本の半導体産業の礎となるべく、精進して参る所存であります。
様々なお客様の多様な加工ニーズに高品質かつタイムリーにお応えするCustomer Oriented Corporation として、お引立ての程よろしくお願い申し上げます。

秩父電子グループ紹介

秩父電子株式会社

住所: 〒368-0004 埼玉県秩父市山田2178
電話番号: (0494)22-5955
FAX番号: (0494)22-5959
資本金: 8,000万円
従業員数: 75人

秩父エレクトロン株式会社

住所: 〒368-0101 埼玉県秩父郡小鹿野町下小鹿野1111
電話番号: (0494)75-3333
FAX番号: (0494)75-3392
資本金: 4,600万円
従業員数: 85人

秩父エレクトロン（みどりが丘工場）

住所: 〒368-0067　埼玉県秩父市みどりが丘70
電話番号: (0494)63-1733
FAX番号: (0494)62-5277

秩父電子グループヒストリー

創立45年の歴史は実績と信頼の証です。

西暦	会社沿革	研究開発・製造・販売
1967年	秩父電子株式会社設立	シリコン整流素子の製造販売
1968年	資本金2,000万円に増資
1970年	資本金4,000万円に増資
1977年		フォトマスク用基板研磨開始
1980年	秩父市滝の上町に秩父電子(株)第二工場建設
1983年	秩父市日野田町に秩父電子(株)日野田工場建設	シリコン拡散、研磨加工開始
1985年	秩父エレクトロン(株)を設立し秩父電子(株)日野田工場を秩父エレクトロン本社工場に変更する
1986年	秩父エレクトロン本社工場を小鹿野町に建設移転する	化合物半導体GaPの研磨加工開始
1987年	資本金8,000万円に増資
1988年		液晶基板の研磨加工開始
1991年		フォトマスクパターン露光・検査開始化合物半導体GaAsの研磨加工開始
1994年		シリコンインゴットスライスべべリング開始
1995年	秩父エレクトロン(株)に第二棟建設
1996年		シリコンエピタキシャル成長開始
1997年		モニタ・ダミーウェハー製造開始
1998年	ISO9002　認証取得
1999年		中国、台湾、韓国を含めて技術融合・商社活動開始
2000年	GaAs研磨ライン増設	シリコン、GaAs超薄物研磨技術確立
2001年	フォトマスク超ハイグレード品の研磨、洗浄、検査ライン増設	InP、DWDMフィルタ用ガラス研磨技術確立
2003年	ISO9001認証取得シリコンエピタキシャル成長ライン増設
2004年	ISO14001認証取得	12インチシリコンウェハー加工開始
2006年	秩父エレクトロン資本金4,600万円に増資	GaAsウェハー金属膜蒸着開始
2007年		SiC，サファイア，GaNウェハー研磨加工開始
2008年	秩父エレクトロンみどりが丘工場取得	MEMS用ウェハー研磨加工開始
2009年	（株）野菜工房へ出資日経ビジネスに「隠れた世界企業」として掲載ものづくり中小企業製品開発等支援補助金交付内定
2010年	秩父電子（株）みどりが丘事業所操業開始戦略的基盤技術高度化支援事業（サポイン）に採択され経済産業省より研究開発を受託
2012年	埼玉県次世代産業参入支援事業補助金獲得
2013年		ダイシング加工開始シリコンバー製造開始 SiCウェハー再研磨（リサイクル）開始