SiC,MEMS,シリコンカーバイト,ガリリン,ガリヒソ,シリコン,フォトマスク,サファイア

,合成石英,基板,研磨,半導体,化合物,バックグラインド,裏面研磨,洗浄,サファイア,金属膜蒸着,半導体商社,エピについてご相談下さい。
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●お気軽にお問合わせ下さい。


半導体加工の匠集団

 秩父電子ホームページをご覧頂きありがとうございます。
我々は、半導体フォトマスク基板用合成石英ガラス、Gap・GaAs等の化合物半導体、MEMS、SiC(シリコンカーバイド)、サファイア、GaN(窒化ガリウム)、Siウエハーの研磨加工を軸にエピ成長、金属膜蒸着等半導体材料の加工を幅広く行っている技術集団です。我々の技術は経済産業省からも高く評価され、平成18年3月には「明日の日本を支える元気なモノ作り中小企業300社」に選ばれました。又、日本版ニューズウィーク(2007年11月)に世界が絶賛する日本の中小企業100社として紹介されました。更に日経ビジネス(2009年3月)に「隠れた世界企業」として紹介されました。匠の技術でお客様の満足にお応えします。


■Wath’s New
ものづくり中小企業製品開発等支援補助金交付内定
      【炭化ケイ素(SiC)ウェハの超精密研磨技術の開発】
2009年08月
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日経ビジネスに「隠れた世界企業」として掲載 2009年03月
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秩父エレクトロン (株)野菜工房(レタスの室内噴霧栽培)に出資 2009年03月
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秩父エレクトロンみどりが丘工場取得 2008年01月

■製品ラインナップ
 秩父電子グループでは半導体業界の様々な要求に応えるべく、幅広い事業を展開しております。
■半導体フォトマスク基板用ガラス(合成石英硝子)研磨

材質:

合成石英ガラス、低膨張ガラス、ノンアルカリガラス、 青板ガラス、白板ガラス

32B両面研磨機

32B両面研磨機

仕様:

4、5、6、7、8インチ角及び8、12インチウエハータイプ

  • 平坦度:0.5um以下
  • 欠陥、パーティクルレベル:0.1um以下
  • 面制度Ra1.5 オングストローム以下

品質:

最先端検査装置による品質保証

  • MAGICS3320
  • AFM NANOI
  • NIDEK FT−900

特色:

  • 超精密ガラス化学研磨
  • 超清浄度半導体フォトマスク用ガラス洗浄
  • 面取り、端面処理各種加工
化合物半導体ウェハー研磨

材質:

GaP、GaAs、InP等の基板ウェハー、エピ成長ウェハー、パターン付きウェハー

ポリッシュ研磨

化合物半導体ポリッシュ加工

仕様: 2、3、4、6インチ定型及び不定形ウェハー
  • 超極薄仕上げ可能(50umレベルまで)
  • 基板研磨はエピレディレベルの表面品質 

品質:

最先端検査装置による品質保証

  • CandelaCS10
  • NIDEK FT−900
  • AFM NANOI 

特色:

不定形、そり等の大きいエピウェハー研磨可能

  • パターン付きウェハー裏面研磨
  • 使用済みウェハーの再研磨

GaPウェハーについては研磨以外の各種処理

  • 定型化加工
  • グルービング加工
  • バリ取り加工

※要望に応じてラップ、研削、ポリッシュ加工を柔軟に組み合わせ最適の研磨加工の実施可能

シリコンウェハー裏面研磨加工(バックグラインド)
12インチ40±2um加工

材質:

パターン付きシリコンウェハー

仕様:

4、5、6、8及び12インチウェハー、バンプ付きウェハー可能

  • 超極薄仕上げ可能(50um以下)
  • 面内厚みバラツキは2μ以下

特色:

  • CMP装置によるバックグラインド・ポリッシュ一環加工
  • 12インチウェハーを50um以下の厚みまで研磨可能
  • バンプ付きウェハー対応可能
  • Asドープウェハー対応可能
   

12インチ40±2um加工

■MEMS用ウェハー研磨加工

材質:

MEMS用パターン付きウェハー

仕様:

4、5、6、及び8インチウェハー

  • 洗浄レベルは重金属フリー、パーティクル数個レベル(0.1um)

品質:

膜厚の徹底的な制御

  • 膜厚計

特色:

膜厚を制御しながらパターン面研磨及び洗浄

■ワイドギャップ半導体材料研磨加工

材質:

SiC(シリコンカーバイド)、GaN(窒化ガリウム)、サファイア ウェハー等

土肥研究室

仕様:

表面粗さは0.05umレベル

品質:

最先端検査装置による品質保証

  • Candela CS10

  • NIDEK FT−900

  • AFM NANOI

  • Edge Profiler LEP−400

特色:

  • 基板研磨

  • エピ成長ウェハー研磨

  • パターン付きウェハー研磨

  • 使用済みウェハー再生研磨

※現在九州大学と共同で更なる品質アップに向け技術開発中

■金属膜蒸着加工
材質: GaAsウェハー、シリコンウェハー 蒸着装置
仕様: GaAsウェハー
  • 蒸着膜:Au、Pt、Ti等各種金属膜
  • 対応サイズは6インチまで
シリコンウェハー
  • 蒸着膜:熱酸化膜、TEOS膜、窒化膜等
  • 対応サイズは12インチまで
品質:
  • 膜厚測定装置
特色: 研磨との一環加工で効率的な処理が可能
お客様のレシピに柔軟に対応
■シリコンウェハーエピ成長加工
エピ成長加工 材質: シリコンウェハー
仕様: 4,5インチウェハー
  • 4インチ、5インチ膜厚測定装置
  • 4インチ、5インチウェハー埋め込み拡散加工
シリコンモニターダミーウェハー加工
材質: シリコンウェハー
仕様: 4、5、6、8、12インチウェハー
  • パーティクルは0.3ミクロンで10個以下
  • 重金属レベルは10の9乗atom/cm3をクリアー
特色: バージンモニターダミーウェハー製造
モニターダミーウェハー再生研磨加工
  • 膜除去も行います
  • 再生回数は平均3回以上
(少量から注文も承ります)
■シリコンウェハー 一環加工
材質: パターン付きシリコンウェハー
仕様: 4,5,6,8,12インチウェハー(バンプ付きウェハー対応可能)
特色: ウェハーテスト及びダイシング/チップ検査を協力会社に委託することにより、裏面研磨加工を加えた一環加工サービスを提供致します。
(少量から注文も承ります)
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■技術開発
 世界最高を目指し、常に最先端の技術を追い求め続けています。
■高平坦度研磨技術
高平坦度研磨技術は、研磨剤、研磨布、研磨機の条件設定が有機的に結びついた超精密加工です。これらのノウハウは、研削、ラップ、ポリッシュ、また両面研磨、片面研磨と広範囲におよびます。
片面研磨においてはプレートへの接着、研磨後の剥離技術も重要な要素です。
研磨の適用範囲は、シリコン、化合物半導体(GaP、GaAs、InP)、ワイドギャップ半導体(SiC、GaN)、石英ガラス、サファイア等多岐にわたります。
■高清浄洗浄技術
研磨後のパーティクルフリー・重金属フリーに限りなく近い高清浄度洗浄技術は、高平坦度研磨技術と対となって、
お客様の高度なご要望にお応えいたします。
■高精度特殊ウェハー加工技術
ウェハべべリング(面取)、定型加工、またガラスの切断等の高精度形状加工技術。
特殊な研削、ラップ、ポリッシュ方法により、50μm仕上程度まで対応可能。
拡散・エピタキシャル成長、各種エッチング等の表面処理技術。
これらの加工技術は、高平坦度研磨技術、高清浄度洗浄技術とあいまって電子材料加工における応用の範囲を無限に広げます。 
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■品質管理体制
 品質に妥協はありません、鉄壁の管理体制でお客様のご要望にお応えします。
■ISO9001/TS16949
2003年7月に2000年度版へ移行。
2007年1月にTS16949認証取得。
ISO/TS定着化の為の従業員教育も、大きな成果を上げております。
■充実の検査装置群
表面分析のための電子顕微鏡、レーザー表面形状測定器、高精密粗さ計等、各種分析装置
クリーン度の保守に欠かせない各種パーティクルカウンター、自動検査装置など
上記の装置による優れた分析技術と測定技術がシステム化され、QCセンターで分析された情報は製造工程へ速やかにフィードバックされます。これは、各製造部門での品質保証活動とあいまって品質向上や信頼性向上に大きく寄与しています。

Candela CS10

MAGICS 3320

NIDIK FT-900

AFM NANOI

Candela CS10 MAGICS 3320 NIDIK FT-900 AFM NANOI
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■環境保全体制
 秩父の豊かな自然を愛し、万全の環境保全体制で取り組んでいます。
■環境への取り組み(ISO14001取得)
ISO取得 ISO14001に基づいて自然環境保全のために、工場排水や排気に最新設備を設置し、秩父の豊かな自然と共存をはかっております。
「彩の国指定工場」「埼玉県地域中小企業」として、地域との融和、貢献という面からリーダーシップ的役割を果たしております。
秩父電子環境方針
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■企業概要
 秩父電子は地域・企業と共に発展することを目指しています。
■ごあいさつ
強谷社長
 弊社は昭和42年の操業開始以来、顧客第一、人材育成、技術の錬磨を社訓として、一貫して半導体材料加工メーカーとしてお客様に可愛がられて参りました。
インターネット全盛の時代において、最先端の加工技術の提供を企業の責務として、今後とも視野を未来へ、そして世界へと広げて、広く社会に貢献していきたいと思います。
お客様の多用なニーズに高品質かつタイムリーにお応えするCustomer Oriented Corporationとして、お引き立ての程宜しく御願い申し上げます。
秩父電子株式会社
秩父エレクトロン株式会社
代表取締役社長
強 谷 隆 彦
■経営方針
私たち、秩父電子グループは「顧客・従業員・地域と共に繁栄し、社会の発展に寄与する」という経営理念のもと、

1)多角化による発展的安定経営の確保
2)顧客ニーズを的確に把握した営業および技術開発
3)最高のQCD(Quality,Cost,Delivery)を作り出す生産システムの開発

この、3本の経営基本方針にのっとり、積極的に事業を展開しております。
今後も超精密・超清浄電子材料加工メーカーとして、日本の半導体産業の礎となるべく、精進して参る所存であります。

様々なお客様の多様な加工ニーズに高品質かつタイムリーにお応えするCustomer Oriented Corporation
として、お引立ての程よろしくお願い申し上げます。

■秩父電子グループ紹介
秩父電子株式会社
秩父電子株式会社 (本社・工場)
住  所
電話番号
FAX番号
資 本 金
従業員数
〒368-0004 埼玉県秩父市山田2178
(0494)22-5955
(0494)22-5959
8,000万円
110人
紹介VTR(10.7 MB)
秩父エレクトロン株式会社
秩父エレクトロン株式会社 (本社・工場)
住  所
電話番号
FAX番号
資 本 金
従業員数
〒368-0101 埼玉県秩父郡小鹿野町下小鹿野1111
(0494)75-3333
(0494)75-3335
4,300万円
130人
紹介VTR(9.87 MB)

みどりが丘工場
秩父エレクトロン株式会社(みどりが丘工場)
住  所
電話番号
FAX番号

埼玉県みどりが丘70
(0494)53-8858
(0494)53)-8858
(株)野菜工房
ホームページ
■秩父電子グループヒストリー
西暦 会社沿革 研究開発・製造・販売
1967年 秩父電子株式会社設立 シリコン整流素子の製造販売
1968年 資本金2,000万円に増資
1970年 資本金4,000万円に増資
1977年 フォトマスク用基板研磨開始
1980年 秩父市滝の上町に秩父電子(株)第二工場建設
1983年 秩父市日野田町に秩父電子(株)日野田工場建設 シリコン拡散、研磨加工開始
1985年 秩父エレクトロン(株)を設立し秩父電子(株)日野田工場を秩父エレクトロン本社工場に変更する
1986年 秩父エレクトロン本社工場を小鹿野町に建設移転する 化合物半導体GaPの研磨加工開始
1987年 資本金8,000万円に増資
1988年 液晶基板の研磨加工開始
1989年
1991年 フォトマスクパターン露光・検査開始
化合物半導体GaAsの研磨加工開始
1994年 シリコンインゴットスライスべべリング開始
1995年 秩父エレクトロン(株)に第二棟建設
1996年 シリコンエピタキシャル成長開始
1997年 モニタ・ダミーウェハ製造開始
サファイア研磨加工開始
1998年 ISO9002 認承取得
1999年 中国、台湾、韓国を含めて技術融合・商社活動開始
2000年 GaAs研磨ライン増設 シリコン、GaAs超薄物研磨技術確立
2001年 フォトマスク超ハイグレード品の研磨、洗浄、検査ライン増設 InP、DWDMフィルタ用ガラス研磨技術確立
2003年 シリコンエピタキシャル成長ライン増設
2004年 ISO14001 認承取得 12インチシリコンウェハ加工開始
2005年
2006年 秩父エレクトロン資本金4300万円に増資 GaAsウェハー金属膜蒸着開始
2007年 SiC,GaNウェハー研磨加工開始
2008年 TS16949取得
秩父エレクトロンみどりが丘工場取得
MEMS用ウェハー研磨加工開始
2009年 (株)野菜工房へ出資
■交通アクセス
地図
秩父電子株式会社(本社・工場)
 ■最寄の駅 ・西武秩父駅より タクシー10分
・秩父駅より タクシー15分
 ■交通 ・国道140号線 秩父大野原交差点山田方面へ
・国道299号線 秩父坂氷交差点山田方面へ
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秩父エレクトロン株式会社(本社・工場)
 ■最寄の駅 ・西武秩父駅より タクシー20分
・秩父駅より タクシー20分
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秩父エレクトロン株式会社(みどりが丘工場)
 ■最寄の駅 ・皆野駅より タクシー15分
・秩父駅より タクシー15分
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■求人情報
 将来有望な人材をお待ちしております。
■リクルート情報
秩父電子若手社員
■研修制度 自己啓発的にレベルアップしたい方を全力で応援します。
やる気のある従業員を会社でバックアップする制度です。
■年間休日 116日(完全週休二日制)  ※休日出勤も出来ます。
■賞与 年2回支給
■福利厚生 社員のアイディアによる社員主体の楽しいレクリエーション活動
社員旅行(年2回)・納涼大会・忘年会・など
■大卒 初任給189,000円以上
■短大・専門校卒 初任給163,000円以上
■高卒 初任給157,000円以上

■先輩社員メッセージ
常木 聡 常木 聡
出身校 上武大学ビジネス情報科卒業
入社年月日 平成17年4月01日
年齢 26歳
現在 CSグループ班長
 現在、入社4年目になります。
秩父電子は社内の雰囲気がとても良く、自分で考えて行動のできる自由な会社です。
私はクリーンルーム内の接着工程で班長としてがんばっています。

やる気のある人は是非秩父電子に来て、私と一緒に働きましょう!
武島 稔 武島 稔
出身校 群馬大学工学部電気電子工学科卒業
入社年月日 平成15年4月01日
年齢 28歳
現在 製造技術
製品の品質向上、生産条件の管理開発及び装置管理を行っております。
 
自分の考えを自由に発言できる雰囲気の中、先輩の助言や協力も得られ未経験の分野にも
楽しんで取り組むことが出来ます。

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